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Borsa di post-dottorato - Università di Cambridge
Descrizione
Il dipartimento di scienze materiali e metallurgia dell'Università di Cambridge eroga una borsa di post-dottorato per promuovere la ricerca in merito a "GaN-based materials and light-emitting structures".
Il candidato/a deve avere esperienza di ricerca nel campo dei semi conduttori, diffrazione dei raggi X ecc. Il candidato/a dovrà lavorare sia in maniera autonoma che in gruppo.
Il lavoro di ricerca dovrà iniziare entro il 20 agosto 2012.
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This post doctoral position is funded by the EU. The project involves the growth and characterisation of AlGaInN materials on semi-polar templates for yellow emission in solid-state lighting applications, in collaboration with other universities and industries. The PDRA will grow GaN-based structures on Si and on sapphire substrates. The person appointed should have expertise in the MOVPE growth of semiconductors. Previous experience of GaN growth would be an advantage, but is not essential. The Department has an Aixtron close-coupled showerhead MOVPE reactor and a second reactor is being installed. The person appointed should be able to work both independently and as part of a team. Expertise in X-ray diffraction, AFM, etc, would be an advantage.
La borsa, finanziata dall'Ue, avrà un valore compreso tra £27,578 - £35,938.
Le domande devono essere inviate entro il 27 luglio 2012 a:
Professor Sir Colin Humphreys,
Department of Materials Science and Metallurgy,
Pembroke Street,
Cambridge CB2 3QZ, UK
La documentazione da inviare dovrà comprendere il CV, lista delle pubblicazioni, due lettere di raccomandazione.
Per maggiori informazioni consultare i Links.
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Applicants should submit both an email and a written application which should include a CV, publications list, contact details for two professional referees, and a completed form CHRIS/6 Parts I and III
